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石墨爐系統(tǒng)簡(jiǎn)介 石墨爐系統(tǒng)-通用原子吸收光譜儀配置 石墨爐系統(tǒng)-通用原子吸收光譜儀配置 技術(shù)指標(biāo) |
石墨爐原子化裝置是一種電熱原子化器，可將測(cè)的大多數(shù)金屬元素靈敏度由mg/L級(jí)提高到ug/L級(jí)。 ＊*光控升溫系統(tǒng)，在原子化階段實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)全功率升溫。 ＊加熱條件設(shè)定：干燥、灰化、原子化及兩種升溫方式。 ＊加熱溫度l 范圍：室溫-3000攝氏度 ＊加熱控溫方式：干燥灰化階段為電壓反饋控制方式原子化階段為電壓或光控反饋控制方式 典型元素特征濃度：Cu小于1*10-10g，Cd小于1*10-12g |
石墨爐原子化裝置是一種電熱原子化器，可將測(cè)的大多數(shù)金屬元素靈敏度由mg/L級(jí)提高到ug/L級(jí)。
＊*光控升溫系統(tǒng)，在原子化階段實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)全功率升溫。
＊加熱條件設(shè)定：干燥、灰化、原子化及兩種升溫方式。
＊加熱溫度l 范圍：室溫-3000攝氏度
＊加熱控溫方式：干燥灰化階段為電壓反饋控制方式原子化階段為電壓或光控反饋控制方式
典型元素特征濃度：Cu小于1*10-10g，Cd小于1*10-12g
石墨爐原子化裝置是一種電熱原子化器，可將測(cè)的大多數(shù)金屬元素靈敏度由mg/L級(jí)提高到ug/L級(jí)。
＊*光控升溫系統(tǒng)，在原子化階段實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)全功率升溫。
＊加熱條件設(shè)定：干燥、灰化、原子化及兩種升溫方式。
＊加熱溫度l 范圍：室溫-3000攝氏度
＊加熱控溫方式：干燥灰化階段為電壓反饋控制方式原子化階段為電壓或光控反饋控制方式
典型元素特征濃度：Cu小于1*10-10g，Cd小于1*10-12g
石墨爐原子化裝置是一種電熱原子化器，可將測(cè)的大多數(shù)金屬元素靈敏度由mg/L級(jí)提高到ug/L級(jí)。
＊*光控升溫系統(tǒng)，在原子化階段實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)全功率升溫。
＊加熱條件設(shè)定：干燥、灰化、原子化及兩種升溫方式。
＊加熱溫度l 范圍：室溫-3000攝氏度
＊加熱控溫方式：干燥灰化階段為電壓反饋控制方式原子化階段為電壓或光控反饋控制方式
典型元素特征濃度：Cu小于1*10-10g，Cd小于1*10-12g
石墨爐原子化裝置是一種電熱原子化器，可將測(cè)的大多數(shù)金屬元素靈敏度由mg/L級(jí)提高到ug/L級(jí)。
＊*光控升溫系統(tǒng)，在原子化階段實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)全功率升溫。
＊加熱條件設(shè)定：干燥、灰化、原子化及兩種升溫方式。
＊加熱溫度l 范圍：室溫-3000攝氏度
＊加熱控溫方式：干燥灰化階段為電壓反饋控制方式原子化階段為電壓或光控反饋控制方式
典型元素特征濃度：Cu小于1*10-10g，Cd小于1*10-12g
